usbispはもちろんだが、ウインドウとちがってウブンツではarduinoIDEでもavrdudeが
つかえない。しかし、コマンドラインではウブンツでばっちりうごいた！
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参考サイト
https://www.jp3cyc.jp/2019/run-arduino-with-internal-clock/
読み出しコマンド
avrdude -c usbasp -p m328p -U lfuse:r:con:h -U hfuse:r:con:h -U efuse:r:con:h
ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー上記でヒューズビットをよみだした結果
avrdude: AVR device initialized and ready to accept instructions
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: Device signature = 0x1e950f (probably m328p)
avrdude: reading hfuse memory:
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: writing output file "con"
avrdude: safemode: Fuses OK (E:FD, H:DE, L:E2)
avrdude done. Thank you.
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書き込みコマンド
https://www.jp3cyc.jp/2019/run-arduino-with-internal-clock/を一部改変
まず３２８ｐに１６ｍｈｚ発振併用としておいて
avrdude -c usbasp -p m328p -U lfuse:w:0xe2:m -U hfuse:w:0xde:m -U efuse:w:0xfd:m
で書き換え １６ｍｈｚ発振は以後は不要
ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー
avrdude: AVR device initialized and ready to accept instructions
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: Device signature = 0x1e950f (probably m328p)
avrdude: reading input file "0xe2"
avrdude: writing lfuse (1 bytes):
Writing | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: 1 bytes of lfuse written
avrdude: verifying lfuse memory against 0xe2:
avrdude: load data lfuse data from input file 0xe2:
avrdude: input file 0xe2 contains 1 bytes
avrdude: reading on-chip lfuse data:
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: verifying ...
avrdude: 1 bytes of lfuse verified
avrdude: reading input file "0xde"
avrdude: writing hfuse (1 bytes):
Writing | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: 1 bytes of hfuse written
avrdude: verifying hfuse memory against 0xde:
avrdude: load data hfuse data from input file 0xde:
avrdude: input file 0xde contains 1 bytes
avrdude: reading on-chip hfuse data:
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: verifying ...
avrdude: 1 bytes of hfuse verified
avrdude: reading input file "0xfd"
avrdude: writing efuse (1 bytes):
Writing | ################################################## | 100% 0.01s
avrdude: 1 bytes of efuse written
avrdude: verifying efuse memory against 0xfd:
avrdude: load data efuse data from input file 0xfd:
avrdude: input file 0xfd contains 1 bytes
avrdude: reading on-chip efuse data:
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: verifying ...
avrdude: 1 bytes of efuse verified
avrdude: safemode: Fuses OK (E:FD, H:DE, L:E2)
avrdude done. Thank you.
ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー
以下は吉野さんよりattiny85のお話です
Microsoft Windows [Version 10.0.19045.2486]
(c) Microsoft Corporation. All rights reserved.
C:\Users\owner>avrdude -c usbasp -p t85 -U lfuse:r:con:h -U hfuse:r:con:h -U efuse:r:con:h
avrdude: AVR device initialized and ready to accept instructions
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: Device signature = 0x1e930b (probably t85)
avrdude: reading lfuse memory:
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: writing output file "con"
0xe2
avrdude: reading hfuse memory:
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: writing output file "con"
0xdf
avrdude: reading efuse memory:
Reading | ################################################## | 100% 0.00s
avrdude: writing output file "con"
0xff
avrdude done. Thank you.
20.2. ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄ
ATtiny25/45/85には表20-3.～5.で記述されるように3つのﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄがあります。ﾋｭｰｽﾞはﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑされると、論理0として読まれることに注意してください。
表20-3. 拡張ﾋｭｰｽﾞ ﾊﾞｲﾄ一覧
名称 ﾋﾞｯﾄ 意味 既定値
- 7～1 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
SELFPRGEN (注1) 0 自己ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ機能許可。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 自己ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ不許可
注1: SPM命令許可。93頁の「ﾌﾗｯｼｭ ﾒﾓﾘの自己ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ」をご覧ください。
表20-4. ﾋｭｰｽﾞ上位ﾊﾞｲﾄ一覧
名称 ﾋﾞｯﾄ 意味 既定値
RSTDISBL(注1,2) 7 PB5がI/OﾋﾟﾝかまたはRESETﾋﾟﾝかを選択します。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) PB5はRESETﾋﾟﾝ
DWEN (注1,2,3) 6 ﾃﾞﾊﾞｯｸﾞWIRE機能許可。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) ﾃﾞﾊﾞｯｸﾞWIRE不許可
SPIEN (注4) 5 低電圧直列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ許可。 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 低電圧直列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ許可
WDTON (注5) 4 ｳｫｯﾁﾄﾞｯｸﾞ ﾀｲﾏ常時有効。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) WDTはWDTCRで許可
EESAVE 3 ﾁｯﾌﾟ消去からEEPROM内容を保護。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) EEPROMは未保護
BODLEVEL2 2 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
BODLEVEL1 1 低電圧検出(BOD)ﾘｾｯﾄの制御と検出電圧選択。 (注6) 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
BODLEVEL0 0 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
注1: RESETﾋﾟﾝの使用法を制御します。39頁の「ﾎﾟｰﾄBの交換機能」をご覧ください。
注2: これらのﾋｭｰｽﾞがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されてしまった後、ﾃﾞﾊﾞｲｽは高電圧直列動作でだけﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞできます。
注3: 施錠ﾋﾞｯﾄ保護が必要とされるとき、非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(1)にされなければなりません。前頁の「ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ ﾒﾓﾘとﾃﾞｰﾀ ﾒﾓﾘ用施錠ﾋﾞｯﾄ」を
ご覧ください。
注4: このﾋｭｰｽﾞは低電圧直列ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞでｱｸｾｽできません。
注5: 詳細については31頁の「WDTCR - ｳｫｯﾁﾄﾞｯｸﾞ ﾀｲﾏ制御ﾚｼﾞｽﾀ」をご覧ください。
注6: 111頁の「BODLEVELﾋｭｰｽﾞ符号化」表をご覧ください。
表20-5. ﾋｭｰｽﾞ下位ﾊﾞｲﾄ一覧
名称 ﾋﾞｯﾄ 意味 既定値
CKDIV8 (注1) 7 ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ 8分周選択。 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 8分周
CKOUT (注2) 6 ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ出力許可。 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 不許可
SUT1 5 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) 起動時間選択。 (注3)
SUT0 4 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
CKSEL3 3 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
CKSEL2 2 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ) ｸﾛｯｸ種別選択。 (注4)
CKSEL1 1 1 (非ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
CKSEL0 0 0 (ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ)
注1: 詳細については20頁の「ｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸ前置分周器」をご覧ください。
注2: (PB0)ﾋﾟﾝに出力することをｼｽﾃﾑ ｸﾛｯｸに許します。詳細については20頁の「ｸﾛｯｸ出力緩衝部」をご覧ください。
注3: 既定値は既定ｸﾛｯｸ元に対する最大起動時間を与えます。詳細については18頁の表6-7.をご覧ください。
注4: 既定設定は8MHz校正付き内蔵RC発振器を選択します。詳細については18頁の表6-6.をご覧ください。
施錠ﾋﾞｯﾄ1(LB1)がﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されると、ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄが固定されることに注意してください。施錠ﾋﾞｯﾄをﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)する前にﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄを
ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ(書き込み)してください。ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄの状態はﾁｯﾌﾟ消去によって影響されません。
ﾋｭｰｽﾞ ﾋﾞｯﾄはﾃﾞﾊﾞｲｽ ﾌｧｰﾑｳｪｱによって読むこともできます。94頁の「ｿﾌﾄｳｪｱからの施錠,ﾋｭｰｽﾞと識票のﾃﾞｰﾀ読み出し」項をご覧ください。
20.2.1. ﾋｭｰｽﾞのﾗｯﾁ
ﾋｭｰｽﾞ値はﾃﾞﾊﾞｲｽがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作へ移行する時にﾗｯﾁされ、ﾋｭｰｽﾞ値への変更はﾃﾞﾊﾞｲｽがﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ動作を去るまで無効です。
これは一旦ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ(0)されると直ぐに効果があるEESAVEﾋｭｰｽﾞには適用されません。ﾋｭｰｽﾞは電源投入でもﾗｯﾁされます
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